Курсова робота «Исследование распределения электрического потенциала на контактах металл-полупроводник и p-n переходах в структурах, которые имеют форму диска Корбино», 2006 рік

З предмету Техніка, технології · додано 05.04.2009 13:49 · від Sanchez · Додати в закладки
35 грн Вартість завантаження

Зміст

Введение 5 1. Аналитический обзор 7 1.1. Неоднородные полупроводники появление объемного заряда 9 1.2. Распределение потенциала на контакте металл-полупроводник 11 1.2.1. Слой обеднения 11 1.2.2. Слой обогащения 14 1.3. Распределение потенциала в p-n гомопереходе 15 1.4. Постановка задачи 18 2. Методика и объект исследования 19 3. Результаты и обсуждение 22 3.1. Расчет распределения потенциала на контакте металл-полупроводник в цилиндрической геометрии 22 3.1.1. Слой обогащения 22 3.1.2. Слой обеднения 27 3.2. Расчет распределения потенциала резкого р-n гомоперехода цилиндрической геометрии 35 Выводы 42 Перечень ссылок

Висновок

В работе получены решения двумерного уравнения Пуассона, описывающие распределения электрического потенциала в слоях обогащения и обеднения для структуры металл-полупроводник-металл, имеющей форму диска Корбино.

Показано, что ход потенциала в слоях обогащения для двумерной структуры, имеет слабые количественные отличия по сравнению с одномерным случаем, хотя и описывается другой функцией. В случае слоя обеднения различие между цилиндрической и одномерной структурами гораздо существеннее.

Установлено также, что для тонкого полупроводникового кольца в диске Корбино, точка перекрытия областей объемного заряда лежит ближе к внутреннему электроду и стремиться к центру полупроводникового кольца с ростом диаметра внутреннего электрода, а распределение потенциала стремится к распределению, характерному для одномерной структуры.

Полученные выражения для распределения потенциала в слое обеднения двумерной структуры показывают, что зависимость ширины этого слоя от приложенного внешнего напряжения имеет иной характер, чем зависимость U1/2, характерная для одномерных структур.

Показано, что в цилиндрическом p-n переходе плотность тока насыщения и ёмкость при малых напряжениях изменяются более резко, а с ростом напряжения становятся гораздо слабее зависящими от напряжения, чем в одномерном. Это приводит к улучшению выпрямляющих свойств перехода и усилительных свойств транзистора с цилиндрической геометрией по сравнению с транзистором с одномерной геометрией.

Полученные результаты могут быть использованы при расчетах полупроводниковых элементов.

Перед завантаженням, ви можете звернутися до адміністратора сайту, та ознайомитися з роботою через Skype (live:intellectnova)

Завантаження буде доступне після авторизації та поповнення балансу на 35 грн

Зайти на сайт

Забули пароль? Ще не зареєстровані?

Подібні матеріали