Дипломна робота «Cоздание областей электрической неоднородности в кремнии при его взаимодействии с висмутом и алюминием», 2005 рік

З предмету Техніка, технології · додано 05.04.2009 13:24 · від Sanchez · Додати в закладки
75 грн Вартість завантаження

Зміст

Введение 4 1. Аналитический обзор 6 1.1. Современное состояние разработки монокристаллических кремниевых ФЭП в Украине 6 1.2. Основные направления совершенствования конструктивно-технологического решения фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) из монокристаллического кремния 11 1.3. Преимущества ФЭП с вертикальным р-n переходами и их реализация в приборе типа «фотовольт» 22 1.4. Заключение к аналитическому обзору и постановка задачи (обстоятельно обосновать целесообразность исследования возможности создания «элементарной ячейки» фотовольта на основе слоистой структуры Bi-Si-Al) 27 2. Методика эксперимента 30 2.1. Изготовление трехслойной структуры Bi-Si-Al с выпрямляющим и изотопным гомопереходами 30 2.2. Исследование диодных параметров изготовленных образцов 32 3. Результаты экспериментов и их обсуждение 35 3.1. Темновые вольт-амперные характеристики и диодные параметры образцов на основе трехслойной структуры Bi-Si-Al 35 3.2. Зависимость диодных параметров образцов от условий их изготовления 39 Выводы 41 Перечень ссылок 42

Висновок

1.Установлено, что в процессе изготовления трехслойной структуры Bi-

Si-Al удалось сформировать выпрямляющий и изотипный гомопереходы, то

есть было получена диодная структура.

2.Было проведено исследование диодных параметров изготовленных

образцов методом темновой вольтамперной характеристики.

3.В результате исследования диодных параметров установлено, что при

изготовлении образцов с применением вакуумного отжига, обеспечивается

меньшее окисление нанесенных металлических пленок, что обеспечивает большую площадь контакта, через который протекает ток, и как следствие, лучшее качество полученного образца.

4.Так же было установлено, что несовершенный контроль температуры при вакуумном отжиге приводит к термоудару образца и, как следствие, повышенному шунтированию р-n перехода, что снижает качество диодной

структуры.

5.На основании полученных результатов сформулированы следующие направления дальнейшего совершенствования конструктивно-

технологического решения элементарной ячейки структуры типа «фотовольт» на основе трехслойной композиции Bi-Si-Al:

-получение как можно более толстых пленок Bi и А1, которые

обеспечивают надежный омический контакт с Si даже с учетом окисления,

-усовершенствование контроля температуры при вакуумном отжиге во избежание термоудара образца и, как следствие, повышенного шунтирования р-n перехода.

Перед завантаженням, ви можете звернутися до адміністратора сайту, та ознайомитися з роботою через Skype (live:intellectnova)

Завантаження буде доступне після авторизації та поповнення балансу на 75 грн

Зайти на сайт

Забули пароль? Ще не зареєстровані?

Подібні матеріали