Курсова робота «Гетероепітаксійні кремнієві структури», 2009 рік

З предмету Техніка, технології · додано 28.02.2011 15:10 · від megawat24 · Додати в закладки
35 грн Вартість завантаження

Зміст

1. Загальна характеристика процесу епітаксії 4 2. Кремній та кремнієві структури 5 2.1. Загальна характеристика кремнієвих структур 5 2.2. Хімічні та фізичні властивості технікуму 7 3. Cинтез та дослідження оптичних властивостей Тонких плівок оксиду цинку 11 3.1. Оптичні властивості тонких плівок оксиду цинку на підкладках 6H-SiC методами ІЧ-спектроскопії 11 3.2. Гетерокластерна плівкова структура на основі кремнію 12 3.3. Реакція на пари етилового спирту гетеро структур 13 3.4. Електровідбивання тонких плівок Ge1-xSix 13 4. Властивості модифікованих вуглецевих плівок та Шаруватих структур на основі кремнію 18 4.1. Лазерний прорив фірми Intel 18 4.2. Актуальність дослідження гетероепітаксійних кремнієвих структур 19 Висновки 30 Список літератури 32

Висновок

На даній курсовій роботі розглянуто й опрацьовано матеріал теми «Гетероепітаксійні кремнієві структури».

1. Эпітаксія — це закономірне нарощування одного кристалічного матеріалу на іншій тобто орієнтований ріст одного кристалу на поверхні іншого (підкладки). Строго кажучи, ріст всіх кристалів можна назвати епітаксійним: кожен наступний шар має те ж орієнтування, що й попередній. Розрізняють гетероепітаксію, коли речовини підкладки й наростаючого кристала різні, і гомоепітаксію, коли вони однакові. Орієнтований ріст кристала усередині обсягу іншого називається ендоепітаксією.

2. При газофазному осадженні карбіду кремнію на підкладку кремнію у вертикальному реакторі при атмосферному тиску зменшення швидкості росту епітаксійного шару з ростом температури визначається не тільки кінетичними й дифузійними обмеженнями, але й процесами гетерогенної й гомогенної кристалізації.

3. Величини механічних напруг в епітаксійних шарах карбіду кремнію визначаються температурою росту й способом модифікації поверхні підкладки кремнію. Мінімальні значення напруг незалежно від методу підготовки буферного шару відповідають діапазону температур росту 1350 - 1370°С. Нанопориста структура буферного шару знижує рівень напруг але, при цьому, збільшує ступінь невпорядкованості кристалічної структури епітаксійного шару 3C-Si.

4. В області технологічних режимів формування шарів 3C-Si на Si, що забезпечують мінімальний рівень залишкових напруг, можливе створення структур МЕМС для пристроїв на основі плоских і гофрованих мембран, які при порівнянних геометричних розмірах з аналогами на традиційних матеріалах (Si3N4) забезпечують більшу чутливість до механічного впливу.

Перед завантаженням, ви можете звернутися до адміністратора сайту, та ознайомитися з роботою через Skype (live:intellectnova)

Завантаження буде доступне після авторизації та поповнення балансу на 35 грн

Зайти на сайт

Забули пароль? Ще не зареєстровані?