Дипломна робота «Плазмове травлення мікроструктури у виробництві великих інтегральних схем», 2007 рік

З предмету Фізика · додано 07.04.2010 00:03 · від Светуля · Додати в закладки
75 грн Вартість завантаження

Зміст

Введение 1. История и современные направления развития плазменного травления микроэлектронных структур 1.1. Начальная стадия развития 1.2. Внедрение плазменной обработки в полупроводниковое производство 1.3. Освоение технологии сухой обработки 1.4. Проблемы и возможности плазменной технологии 1.5. Основные принципы применения плазменного травления 1.6. Основные химические реакции при плазмохимическом и ионно-химическом травлении в плазме газового разряда высоковольтного типа 2. Исследование процессов плазменного травления в технологии бис 2.1. Расчет зависимости скорости реактивного ионно-плазменного травления от параметров профиля обрабатываемой поверхности 2.2. Экспериментальные исследования зависимости скорости травления от процентного содержания кислорода и физических параметров плазмы 2.3. Анализ качества травления в плазме газового разряда высоковольтного типа 2.4. Особенности травления различных материалов микроэлектроники 2.5. Расчет скорости плазмохимического травления кремния в плазме CF4 3. Перспективы использования плазменных технологий в производстве наноэлектронных приборов Выводы Список использованных источников Приложение а

Висновок

1. Установлено, что добавление кислорода в плазму CF4 приводит сначала к увеличению скорости травления, а затем к ее снижению практически до нулевых значений. При содержании кислорода в плазме 0,8...1,5%, соответствующем максимуму скорости травления, кислород всецело участвует в образовании ионов F-, при этом не создавая конкуренции радикалам F* в занятии активных центров на поверхности SiO2.

2. Установлено, что микрорельеф с вертикальными стенками и сглаженным дном в диоксиде кремния формируется при процентном содержании кислорода 1,3% и токе разряда 120 мА.

3. Выявлено, что максимальные скорости травления диоксида кремния достигаются при значениях тока разряда 80...140 мА, процентном содержании кислорода в плазме 0,8...1,5%, температуре подложки 390...440 К.

Коментар модератора

Робота нормальна

Перед завантаженням, ви можете звернутися до адміністратора сайту, та ознайомитися з роботою через Skype (live:intellectnova)

Завантаження буде доступне після авторизації та поповнення балансу на 75 грн

Зайти на сайт

Забули пароль? Ще не зареєстровані?