Дипломна робота «Моделювання геометричних характеристик сонячних елементів», 2000 рік

З предмету Техніка, технології · додано 04.08.2009 23:30 · від wild cat · Додати в закладки
75 грн Вартість завантаження

Зміст

Реферат 4 Вступ 6 1. Літературний огляд 8 1.1. Конструкції сонячних елементів 8 1.2. Основні геометричні характеристики сонячних елементів 20 2. Математична модель та її реалізація 24 2.1. Гетероструктури Cd/CdTe та їх основні характеристики 24 2.2. Вольт-амперні характеристики сонячних елементів 26 2.3. Питомий опір матеріалу сонячних елементів 30 2.4. Залежність рекомбінаційних втрат від параметрів структури 33 2.5. Густина струму короткого замикання й коефіцієнт корисної дії сонячного елемента Cd/CdTe. 39 2.6. Програмне середовище Mathcad 40 3. Моделювання характеристик сонячних елементів 42 3.1. Моделювання ВАХ 42 3.2. Моделювання питомого опору 45 3.3. Моделювання поверхневої рекомбінації 49 3.4. Моделювання густини струму короткого замикання та ККД від часу життя носіїв заряду та глибини гетеропереходу 53 4. Охорона праці 58 Висновки 61 Перелік посилань 62

Висновок

Представлені вище результати моделювання виявляють особливості процесів, що відбуваються в тонкоплівковій гетероструктурі Cd/CdTe, і дозволяють уточнити деякі вимоги, які необхідно враховувати в технології виготовлення сонячних елементів:

1. У структурі Cd/CdTe, що забезпечує повне поглинання випромінювання й виключає в той же час електричні втрати, енергія іонізації легуючої акцепторної домішки Еа в шарі CdTe і ступінь її компенсації Nd/Na не повинні перевищувати 0.1—0.15еВ й 0.9—0.99 відповідно.

2. При збільшенні концентрації нескомпенсованих акцепторів Na – Nd вплив поверхневої рекомбінації істотно слабшає, а при Na – Nd = 1016 — 1017см-3 практично усувається.

3. Позбувшись від дефектів і домішок, що вносять глибокі рівні в заборонену зону, можна збільшити час життя неосновних носіїв і тим самим підняти коефіцієнт корисної дії сонячного елемента з покриттями, що антивідбивають. Без покриттів, що антивідбивають, при звичайно використовуваній товщині шару CdS і часу життя електронів 10-8 -10-6 с зовнішній коефіцієнт корисної дії сонячного елементу перебуває в межах (22 ± 5)%.

4. Збільшення товщини шару сульфіду кадмію понад 0.50 мкм приводить до зниження ефективності ККД за рахунок зменшення густини струму короткого замикання й зменшення фактора заповнення світловий ВАХ. Це обумовлено відповідним зниженням густини потоку фотонів, які знаходяться у базовому шарі, що викликається закономірним зниженням середнього коефіцієнта пропущення у видимому діапазоні шару сульфіду кадмію в міру росту його товщини.

Перед завантаженням, ви можете звернутися до адміністратора сайту, та ознайомитися з роботою через Skype (live:intellectnova)

Завантаження буде доступне після авторизації та поповнення балансу на 75 грн

Зайти на сайт

Забули пароль? Ще не зареєстровані?

Подібні матеріали